Full text: Ueber die lichtelektrische Wirkung bei tiefer Temperatur und ihre Abhängigkeit von der Elektrodensubstanz und von Oberflächenschichten

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Bei tiefer Temperatur wird die molekulare Wärmebewegung 
geringer sein, demnach eine stärkere Schicht auftreten können 
als bei gewöhnlicher Temperatur; der Schichteffekt, den die 
Kurve gewöhnlicher Temperatur aufweist, muss also in der Kurve 
tiefer Temperatur immer in verstärktem Masse sich zeigen, sei 
es nun, dass es sich um Verschiebung oder sei es, dass es sich 
um Veränderung der Kurve handle. 
Für die Schichtänderung durch das Feld UE kommt es je 
auf das Vorzeichen, sowie auf den Ort (U oder E) der Schicht 
an, ob beim Übergang von tieferen zu höheren E-Potentialen 
eine Stärkung der Schicht stattfindet oder nicht. Handelt es 
sich beispielsweise um eine positive U-Schicht, so werden bei 
negativen E-Potentialen positive Träger, die die Schicht aus irgend 
welchen Gründen verlassen oder, von U kommend, sie durch 
setzen, nicht zurückgehalten werden, während im Gegenteil 
negative Träger, die sich zwischen U und E befinden, der 
Schicht zugetrieben werden; bei positiven E-Potentialen würde, 
das Gegenteil der Fall sein. Positive E-Potentiale werden die 
positive U-Schicht demnach stärken, negative sie schwächen 1 ); 
umgekehrt wird eine negative U-Schicht durch negative E-Poten 
tiale gestärkt, durch positive geschwächt werden, woraus man 
ersieht, dass, allgemein ausgedrückt, durch Übergang von negativen 
zu positiven oder überhaupt von niederen zu höheren Potentialen 
die U-Schicht positiver gemacht werden muss, einerlei, ob die 
ursprüngliche Schicht positiv, negativ oder gleich Null ist. 
Findet eine derartige Wirkung tatsächlich statt, so muss 
hierin (vergl. Anm. S. 37/38) eine zweite Erklärungsmöglichkeit 
für den ersten Anstieg des positiven Astes gegeben sein. Die 
successive Schichtverstärkung wird nämlich bewirken müssen, 
dass sämtliche Ordinaten des positiven Astes nach links ver 
schoben erscheinen und zwar dies um so mehr, je weiter sie 
*) Es mag bemerkt werden, dass eine „direkte“ Schwächung, d. i. 
ein Entreissen der durch die [nfluenzelektrisität festgehaltenen Schichtteile 
durch das FeldUE vielleicht nicht stattfinden wird, da die Kraft zwischen der 
Schicht und ihrem Bilde viel zu gross ist. Ebenso braucht auch die Stärkung 
nur eine vorübergehende Vorlagerung, nicht Einlagerung in die Schicht zu sein.
	        
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